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2017-2018学年高二物理人教版选修3-2习题:第6章 第1节传感器及其工作原理 WORD版含答案.doc

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1、第六章第一节一、选择题(13题为单选题,46题为多选题)1(2016镇海中学高二检测)传感器是指这样一类元件,它通常能把非电学量(如力、光等)的变化,转换为电学量(如电流、电压等)的变化或电路的通断,它在自动控制中有着广泛的应用。关于制作传感器所需要的元器件,下列说法错误的是(D)A热敏电阻能够把温度的变化转换为其阻值的变化B金属热电阻能够把温度的变化转换为其阻值的变化C光敏电阻能够把光照强弱的变化转换为其阻值的变化D所有传感器都是由半导体材料制作的解析:热敏电阻、金属热电阻、光敏电阻都是把温度或光照强度的变化转换为其阻值的变化,从而使电路中电流或电压发生变化,故选项ABC正确;并非所有的传感

2、器都是由半导体材料制成的,半导体材料、陶瓷材料、金属材料和有机材料都可以用来制作传感器,故选项D错误。2如图所示,将一光敏电阻连入多用电表两表笔上,将多用电表的选择开关置于欧姆挡,用光照射光敏电阻时表针的偏角为,现用手掌挡住部分光线,表针的偏角为,则可判断(B)ABD不能确定和的关系解析:光敏电阻的阻值随光照强度的增强而减小,开始时有光照射,光敏电阻的阻值较小,当用手掌挡住部分光线时,光敏电阻的阻值增大,因为欧姆表的零刻度在表盘的右侧,所以欧姆表测电阻时,阻值越大,指针张角越小,所以选项B正确。3(2016云南昆明一中高二检测)如图所示,用光敏电阻LDR和灯泡制成的一种简易水污染指示器,下列说

3、法中正确的是(A)A严重污染时,LDR是高电阻B轻度污染时,LDR是高电阻C无论污染程度如何,LDR的电阻不变,阻值大小由材料本身因素决定D该仪器的使用不会因为白天和晚上受到影响解析:严重污染时,透过污水照到LDR上的光线较少,LDR电阻较大,A对、B错;LDR由半导体材料制成,受光照影响电阻会发生变化,C错;白天和晚上自然光强弱不同,或多或少会影响LDR的电阻,D错。4(2016湖南衡阳市衡阳县高二上学期期末)如图所示,在电路中接一段钨丝,闭合开关,灯泡正常发光,当用打火机给钨丝加热时灯泡亮度明显变暗,根据钨丝的上述特性,可用钨丝来制作一个温度传感器,下面的说法中正确的是(ABC)A该传感器

4、利用了钨丝的物理性质B该传感器利用了钨丝电阻随温度变化而变化的特性C该传感器能够把热学量(温度)转换为电学量(电阻)D该传感器能够把电学量(电阻)转换为热学量(温度)解析:由题目中的实验现象可知,钨丝的电阻随温度的升高而增大,随温度的降低而减小,利用了钨丝的物理性质;从而可以制成温度传感器,传感器能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量,故A、B、C正确,D错误,故选ABC。5(2017山东省青岛二中高二检测)如图所示为某商厦安装的光敏电阻自动计数器的示意图。其中A为光源,B为由电动机带动匀速运行的自动扶梯,R1为光敏电阻,R2为定值电阻。每当扶梯上有顾客经过挡住由A射向R1的光线时,计数器就

5、计数一次。下列说法正确的是(BC)A当有光照射R1时,信号处理系统获得低电压B当有光照射R1时,信号处理系统获得高电压C信号处理系统每获得一次低电压就计数一次D信号处理系统每获得一次高电压就计数一次解析:当光线照射R1时,R1阻值减小,R总减小,且电源电压不变,由闭合电路欧姆定律得I,电路中的电流增大,R2是定值电阻,U2IR2,R2两端电压增大,信号处理系统获得高压,所以选项A错误,B正确;根据前面分析可知,每当有人经过时,即没有光照时,信号处理系统获得低电压,信号处理系统计数一次,即信号处理系统每获得一次低电压就计数一次,所以选项C正确,D错误。6(2017山东临朐一中高二上学期月考)如图

6、所示,电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层,再在导体层外加上一块保护玻璃,电容式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极,在导体层内形成一个低电压交流电场。在触摸屏幕时,由于人体是导体,手指与内部导体层间会形成一个特殊电容(耦合电容),四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。由以上信息可知(AB)A电容式触摸屏的两极板分别是导体层和手指B当用手触摸屏幕时,手指与屏的接触面积越大,电容越大C当用手触摸屏幕时,手指与屏的接触面积越大,电容越小D如果用带了手套的手触摸屏幕,照样能引起触摸屏动

7、作解析:电容触摸屏在原理上把人体当做一个电容器元件的一个极板,把导体层当做另一个极板,故A正确;手指与屏的接触面积越大,即两个极板的正对面积越大,故电容越大,B正确,C错误;如果带了手套或手持不导电的物体触摸时没有反应,这是因为手与导体层距离较大,不能引起导体层电场的变化,D错误。二、非选择题7一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横截面为矩形,体积为bcd,如图所示。已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为、电子电荷量为e。将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿z轴方向,并通有沿x轴方向的电流I。(1)此元件的C、C两个侧面中,哪个面电势高?(2)试证明在磁感应强度一定时,此元件的C、C两个侧面的电

8、势差与其中的电流成正比。(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器。其测量方法为:将导体放在匀强磁场之中,用毫安表测量通过的电流I,用毫伏表测量C、C间的电压UCC,就可测得B。若已知其霍尔系数k10mV/mAT,并测得UCC0.6mV,I3mA。试求该元件所在处的磁感应强度B的大小。答案:(1)C面较高(2)见解析(3)0.02T解析:(1)因电子的运动方向与电流的方向相反,再由左手定则可知,电子向C面偏移,所以C面电势较高(2)假设定向移动速度为v:Iq/tqnebdvt可得:Inebdv稳定时有:BeveUCC/b可得:UCCI,式中各量均为定值,所以侧面的电势差与其中的电流成正比(3)由上可知B代入得:B0.02T

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